info@uralchip.ru
+7 (343) 379-82-19
+7 982 630-31-58
Биполярный Транзистор с Изолированным Затвором
IGBT транзистор (БТИЗ) — биполярный транзистор с изолированным затвором. Выпускают как отдельные IGBT транзисторы, сочетающие все преимущества полевых и биполярных транзисторов, так и силовые сборки на их основе. Такой биполярный транзистор предназначен, в основном, для управления электрическими приводами. Для БТИЗ характерны малая требуемая мощность управляющего сигнала и возможность коммутировать большие токи.Биполярный транзистор с изолированным затвором был запатентован компанией International Rectifier в 1983 году. Первые БТИЗ медленно переключались и имели низкую надёжность из-за чего не получили распространения, однако второе и третье поколения IGBT транзисторов исправили эти недостатки.
БТИЗ имеют высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности и низкое значение остаточного напряжения во включенном состоянии. IGBT транзистор объединяя свойства управляющего FET транзистора с изолированным затвором и мощный биполярный транзистор в качестве ключа.
Диапазон использования биполярных транзисторов с изолированным затвором от сотен вольт до 10 кВ по напряжению. IGBT модули применяются в индукционных печах, схемах управления двигателями, прочих силовых устройствах, где требуется быстрая коммутация больших токов или генерация импульсов большой мощности.
IGBT транзистор широко применяются в источниках сварочного тока, в управлении мощным электроприводом, основное применение транзисторов – инверторы, импульсные регуляторы тока, частотно-регулируемые приводы. Применение IGBT в системах управления тяговыми двигателями обеспечивает высокую плавность хода машины, возможность применения рекуперативного торможения практически на любой скорости и высокий к.п.д.