Моя корзина

Товаров: 0

Наши контакты

Email   info@uralchip.ru

Телефон   +7 (343) 379-82-19

Мобильный телефон   +7 982 630-31-58

Телефон руководителя:

Телефон   +7 (343) 376-64-78

Станция Мир на связи. 10 минут. Заплыв нормальный!
Главная

Микросхемы фирмы Philips

Разработка компонентов для электронных балластов это приоритетная деятельность для компании Philips Semiconductors. Микросхемы фирмы Philipsb этого вида производятся практически для всех типов ламп: термолюминесцентных, компактных флуоресцентных, ламп с холодным катодом для подсветки LCD-мониторов и ксеноновых ламп для автомобильной техники.

Микросхема Philips UBA2070 разработана для работы с флуоресцентными лампами с холодным катодом и напряжением до 277 В. Особенности этой микросхема Philips: защита от повреждения и обрыва лампы, встроенный высоковольтный каскад сдвига уровня, регулируемый рабочий ток.

Микросхемы фирмы Philips UBA2030 и UBA2032 предназначены для работы с полным мостовым MOSFET-каскадом, управляющим ксеноновыми лампами. Для такого типа микросхем характерно: встроенная бутстрепная схема питания, встроенный высоковольтный каскад сдвига уровня, регулируемая частота задающего генератора, регулируемое время задержки переключения.

Микросхема Philips UBA2014 предназначена для работы с полумостовым MOSFET-каскадом, управляющим высокочастотными флуоресцентными лампами. Микросхема имеет адаптивный таймер, регулируемое время прогрева и поджига, защита от перегрузки и обрыва выхода, регулируемый ток прогрева, режим ограничения тока.

Микросхемы Toshiba

На конференции IEDM (International Electron Devices Meeting) компанией Toshiba была представлена базовая технология микросхем флэш-памяти. Структура микросхемы Toshiba флэш-памяти получила обозначение SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor). Главным нововведением являются два туннельных слоя оксида (tunnel layer) толщиной всего 1 нм. Чтение и хранение данных, высокая скорость процессов записи/чтения, осуществляется за счет тонкого 1-нм слоя кристаллического кремния. Параметры работы флэш-памяти улучшаются благодаря слою нитрида кремния Si9N10, заменившего SONOS слой Si3N4.