Моя корзина

Товаров: 0

Наши контакты

Email   info@uralchip.ru

Телефон   +7 (343) 379-82-19

Мобильный телефон   +7 982 630-31-58

Телефон руководителя:

Телефон   +7 (343) 376-64-78

Cветодиоды
Продукция APEC
Станция Мир на связи. 10 минут. Заплыв нормальный!
Главная → Новости

Микросхемы Toshiba

09.07.2008
На конференции IEDM (International Electron Devices Meeting) компанией Toshiba была представлена базовая технология микросхем флэш-памяти. Структура микросхемы Toshiba флэш-памяти получила обозначение SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor). Главным нововведением являются два туннельных слоя оксида (tunnel layer) толщиной всего 1 нм. Чтение и хранение данных, высокая скорость процессов записи/чтения, осуществляется за счет тонкого 1-нм слоя кристаллического кремния. Параметры работы флэш-памяти улучшаются благодаря слою нитрида кремния Si9N10, заменившего SONOS слой Si3N4.